基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘艳; 高曦; 韩根全; 郝跃; 张庆芳 |
| 发表日期 | 2017-11-10 |
| 专利号 | CN107342535A |
| 著作权人 | 西安电子科技大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法，势垒层采用GeSiSn材料；势阱层采用GeSn材料。赝衬底(Ge)、缓冲层(GeSn)、有源区(GeSn/GeSiSn)在衬底(Si)上依次由下至上竖直分布，且Si3N4张应力薄膜包裹在赝衬底、缓冲层及有源区的周围。本发明激光器的制作方法包括：(1)采用低温固源分子束外延生长工艺生长GeSn及GeSiSn材料，(2)采用标准激光器制作工艺加工器件。本发明通过多量子阱结构和外加Si3N4应力薄膜引入的张应变，不仅使激光器的激光波长发生了红移，而且明显提高了激光器的光增益并极大的降低了阈值。 |
| 公开日期 | 2017-11-10 |
| 申请日期 | 2017-06-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90480]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安电子科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘艳,高曦,韩根全,等. 基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法. CN107342535A. 2017-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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