发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法
文献类型：专利
| 作者 | 克里斯托夫·艾希勒; 安德烈·佐默斯; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈亚斯·莱夫勒; 艾尔弗雷德·莱尔 |
| 发表日期 | 2017-12-01 |
| 专利号 | CN107425413A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 |
| 英文摘要 | 提出一种发光半导体芯片(100)，其具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。 |
| 公开日期 | 2017-12-01 |
| 申请日期 | 2017-05-15 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90484]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯托夫·艾希勒,安德烈·佐默斯,贝恩哈德·施托耶茨,等. 发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法. CN107425413A. 2017-12-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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