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一种掩埋结构激光器及其制造方法

文献类型:专利

作者李密锋; 汤宝; 罗飚
发表日期2017-05-31
专利号CN106785910A
著作权人武汉光迅科技股份有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种掩埋结构激光器及其制造方法
英文摘要本发明涉及激光器技术领域,提供了一种掩埋结构激光器及其制造方法。其中,激光器包括衬底、台面结构、掩埋结构和电极接触层,台面结构位于衬底上;掩埋结构由至少一层第一材料层和至少一层第二材料层构成,第二材料层覆盖于第一材料层上,并且第二材料层上对应台面结构的台顶区域设置有凹槽结构;电极接触层位于第二材料层上。本发明实施例克服了现有技术中存在的掩膜层与高电阻层(即掩埋材料)接触区域会过度生长,形成尖锐边角造成漏电流,会对器件在较小的电压下击穿的问题,提高了激光器工作的可靠性。
公开日期2017-05-31
申请日期2016-10-31
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90485]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
李密锋,汤宝,罗飚. 一种掩埋结构激光器及其制造方法. CN106785910A. 2017-05-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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