光学半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 早川明宪; 松本武 |
| 发表日期 | 2014-02-12 |
| 专利号 | CN103579903A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光学半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种光学半导体器件及其制造方法。该光学半导体器件包括：半导体衬底；下部覆层，形成在半导体衬底上方；量子阱有源层，形成在下部覆层上；衍射光栅层，形成在量子阱有源层上方且在其表面中形成有衍射光栅；以及上部覆层，形成在衍射光栅层的衍射光栅上。另外，量子阱有源层的相邻于光学半导体器件的外端面的外部区域中的带隙大于量子阱有源层的位于外部区域之间的内部区域中的带隙，以及包括下部覆层且布置在半导体衬底与量子阱有源层之间的一个或多个层的厚度大于或等于2.3μm。 |
| 公开日期 | 2014-02-12 |
| 申请日期 | 2013-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90490]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早川明宪,松本武. 光学半导体器件及其制造方法. CN103579903A. 2014-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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