基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法
文献类型：专利
| 作者 | 王琦龙; 翟雨生; 杜小飞; 齐志央; 李晓华 |
| 发表日期 | 2016-03-09 |
| 专利号 | CN105390934A |
| 著作权人 | 东南大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法，其中装置包括：一封装结构，具有阴极和阳极，其中，所述阳极开有通孔，所述阴极设置在一导电衬底上，所述阴极为由阴极基底和在阴极基底表面吸附有金属纳米结构构成的场发射阴极；一电源，在所述阴极与阳极之间形成电场；一光源，发出经所述阳极的通孔入射到所述阴极的金属纳米结构上的激光。本发明光增强/调制电子发射装置，光源发出的入射光引起阴极基底的场发射材料与金属纳米结构复合形成的场发射阴极的电子发射增强，提高电子发射效率。同时通过改变入射激光的强度、波长、偏振态调节场发射材料表面的局域场，实现光调制电子发射。 |
| 公开日期 | 2016-03-09 |
| 申请日期 | 2015-12-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90492]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 东南大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王琦龙,翟雨生,杜小飞,等. 基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法. CN105390934A. 2016-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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