半导体光元件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阿部真司 |
| 发表日期 | 2008-09-24 |
| 专利号 | CN101272037A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体光元件的制造方法 |
| 英文摘要 | 利用简单的方法制造在GaN系材料的LD中具有高COD耐性的窗结构的LD。包括如下步骤：在GaN系衬底(12)上依次层叠分别由GaN材料形成的缓冲层(14)、第一n－覆盖层(16)、第二n－覆盖层(18)、第三n－覆盖层(20)、n侧光引导层(22)、作为量子阱结构的活性层(26)、以及p侧SCH层(28)、电子势垒层(30)、p侧光引导层(32)、p－覆盖层(34)和接触层(36)，形成半导体叠层结构(55)；解理包含半导体叠层结构(55)的半导体晶片，使半导体叠层结构(55)的解理端面(58)露出；在所露出的解理端面上形成SiO2膜，利用基于预定的热处理Ga空位扩散，使活性层(26)无序化。 |
| 公开日期 | 2008-09-24 |
| 申请日期 | 2008-03-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90496]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部真司. 半导体光元件的制造方法. CN101272037A. 2008-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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