氮化物半导体发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 神川刚; 金子佳加; 元木健作 |
| 发表日期 | 2006-07-05 |
| 专利号 | CN1799171A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。 |
| 公开日期 | 2006-07-05 |
| 申请日期 | 2004-05-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90497]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,金子佳加,元木健作. 氮化物半导体发光器件. CN1799171A. 2006-07-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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