半导体光发射装置以及一种装置
文献类型：专利
| 作者 | 朝妻庸纪; 冨谷茂隆; 玉村好司; 东条刚; 后藤修; 元木健作 |
| 发表日期 | 2007-03-21 |
| 专利号 | CN1933203A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体光发射装置以及一种装置 |
| 英文摘要 | 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。 |
| 公开日期 | 2007-03-21 |
| 申请日期 | 2002-10-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90506]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朝妻庸纪,冨谷茂隆,玉村好司,等. 半导体光发射装置以及一种装置. CN1933203A. 2007-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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