发光器件、发光器件的晶片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 元木健作; 津充; 三浦祥纪 |
| 发表日期 | 1998-01-28 |
| 专利号 | CN1171621A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 发光器件、发光器件的晶片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明可得到一种具有蓝光亮度更高的发光器件。在GaAs衬底(8)上形成氮化镓复合层(9),然后至少部分去除GaAs衬底(8)以形成发光器件。由于去除了GaAs衬底(8),与全部保留GaAs衬底(8)的情况相比,光吸收减少。这样,可以得到蓝光亮度更高的发光器件。 |
| 公开日期 | 1998-01-28 |
| 申请日期 | 1997-05-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90508]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元木健作,津充,三浦祥纪. 发光器件、发光器件的晶片及其制造方法. CN1171621A. 1998-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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