GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 笠井仁; 石桥惠二; 中畑成二; 秋田胜史; 京野孝史; 三浦祥纪 |
| 发表日期 | 2009-01-14 |
| 专利号 | CN101345221A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 |
| 英文摘要 | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种GaN衬底，由该GaN衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在GaN衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造GaN衬底的方法。该GaN衬底是具有主表面的衬底，相对于其法线矢量，[0001]平面取向在两个不同的离轴方向上倾斜。 |
| 公开日期 | 2009-01-14 |
| 申请日期 | 2008-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90511]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笠井仁,石桥惠二,中畑成二,等. GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法. CN101345221A. 2009-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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