掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法
文献类型：专利
| 作者 | 毛容伟; 滕学公; 王启明 |
| 发表日期 | 2005-09-28 |
| 专利号 | CN1674374A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法 |
| 英文摘要 | 一种掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法，包括如下步骤：a)在第一基片上进行掩模光刻，刻蚀出沟槽；b)在沟槽中带胶生长高反射率布拉格反射镜；c)用带胶剥离的方法除去光刻胶和沟槽外的反射镜；以及d)对第一基片和第二基片进行清洗处理后键合在一起。 |
| 公开日期 | 2005-09-28 |
| 申请日期 | 2004-03-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90512]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毛容伟,滕学公,王启明. 掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法. CN1674374A. 2005-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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