半导体光集成元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 清田和明; 木本龙也; 斋藤裕介 |
| 发表日期 | 2017-03-22 |
| 专利号 | CN106537201A |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体光集成元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体光集成元件，在基板上至少依次层叠了下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层，该半导体光集成元件具备：掩埋型波导部，具有在所述波导芯层的两侧附近埋入了半导体包覆材料的结构；以及台面型波导部，具有至少包含所述上部包覆层的半导体层突出成台面状的波导结构，所述掩埋型波导部中的所述上部包覆层的厚度比所述台面型波导部中的所述上部包覆层的厚度厚。 |
| 公开日期 | 2017-03-22 |
| 申请日期 | 2015-10-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90520]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 清田和明,木本龙也,斋藤裕介. 半导体光集成元件及其制造方法. CN106537201A. 2017-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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