氮化物半导体发光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本秀一郎; 小河淳; 石田真也; 神川刚 |
| 发表日期 | 2006-08-09 |
| 专利号 | CN1816952A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 公开了一种具有出色可靠性和长寿命的氮化物半导体发光器件及制造这样的氮化物半导体发光器件的方法。氮化物半导体发光芯片安装在次底座(103)上，该芯片中，氮化物半导体层和第一电极(211)形成在导电衬底的前面上，第二电极(212)形成在导电衬底的背面上。安装有氮化物半导体发光芯片的次底座(103)安装在管座(105)上，由此形成氮化物半导体发光器件。 |
| 公开日期 | 2006-08-09 |
| 申请日期 | 2004-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90531]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本秀一郎,小河淳,石田真也,等. 氮化物半导体发光器件及其制造方法. CN1816952A. 2006-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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