氮化镓单晶基板及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平松和政; 三宅秀人; 坊山晋也; 前田尚良; 小野善伸 |
| 发表日期 | 2006-04-12 |
| 专利号 | CN1759469A |
| 著作权人 | 住友化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化镓单晶基板及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种具有降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板的制造方法，其特征在于，在制造具有作为由通式InxGayAlzN(式中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示的III－V族化合物半导体单晶，降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板时，具有第一工序和第二工序，其中所述第一工序，使用具有多个突起状形状的该III－V族化合物半导体单晶，用由与该III－V族化合物半导体异种材料制成的掩模覆盖得仅使该结晶端部附近形成开口部分；所述第二工序，以该开口部分的III－V族化合物半导体单晶作为种晶，使该III－V族化合物半导体单晶沿着横向生长；能够制造位错密度小、弯曲少的氮化物系III－V族化合物半导体单晶的自立基板。 |
| 公开日期 | 2006-04-12 |
| 申请日期 | 2004-03-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90553]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平松和政,三宅秀人,坊山晋也,等. 氮化镓单晶基板及其制造方法. CN1759469A. 2006-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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