具有特殊光侷限結構的雷射二極體
文献类型：专利
| 作者 | 施天從; 曾泰富 |
| 发表日期 | 2008-03-16 |
| 专利号 | TW200814348A |
| 著作权人 | 國立高雄應用科技大學 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有特殊光侷限結構的雷射二極體 |
| 英文摘要 | 本發明主要具有特殊光侷限結構並呈脊狀波導結構的雷射二極體,依序包含基材、n型批覆層、下侷限單元、具有多重量子井而可產生光的主動層單元、上侷限單元、p型批覆層,以及二片用以提供電能的電極,特別的是上、下侷限單元分別具有一層由高折射係數材料所成的上、下光侷限層,與分別連接在主動層單元上、下界面且能隙大於主動層單元的載子抑制層,藉此可有效侷限水平方向光場並補償垂直方向光場偏移,以減小光場分佈面積,且可同時提高載子注入效率避免產生溢流效應,進而使雷射二極體的操作速率提升至10Gb/sec以上。 |
| 公开日期 | 2008-03-16 |
| 申请日期 | 2006-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90554]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 國立高雄應用科技大學 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施天從,曾泰富. 具有特殊光侷限結構的雷射二極體. TW200814348A. 2008-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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