Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件
文献类型：专利
| 作者 | 小池正好; 手钱雄太; 平松敏夫; 永井诚二 |
| 发表日期 | 2005-06-29 |
| 专利号 | CN1633700A |
| 著作权人 | 丰田合成株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件 |
| 英文摘要 | 一种抑制贯通转位的III族氮化物系化合物半导体。将GaN层31腐蚀成点状、条纹状或格栅状等小岛状态设置台阶，在底部形成掩膜4、厚度是其上面在比GaN层31的上面低的位置。以台阶上层的上面31a及侧面31b作为核，通过使GaN 32横向外延成长把台阶部分填埋后、也能使在上方成长。这时GaN 32横向外延成长的掩膜4的上部能制成抑制GaN层31具有的贯通转位传播的区域。 |
| 公开日期 | 2005-06-29 |
| 申请日期 | 2001-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90555]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 丰田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池正好,手钱雄太,平松敏夫,等. Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件. CN1633700A. 2005-06-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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