在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘祥林; 焦春美; 于英仪; 赵凤瑗 |
| 发表日期 | 2006-05-31 |
| 专利号 | CN1779910A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，是在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法。该方法包括步骤：a)首先在硅衬底上用金属有机物化学气相淀积工艺生长一层缓冲层；b)然后用金属有机物化学气相淀积生长一层结晶层；c)用卤化物气相外延工艺生长一层氮化镓(GaN)厚膜；d)反复交错对步骤2、步骤3多次重复，成多层结构，直至生长出厚度复合要求的氮化镓(GaN)厚膜衬底材料；e)采用化学腐蚀方法将硅衬底去除，以得到自支撑的氮化镓厚膜。 |
| 公开日期 | 2006-05-31 |
| 申请日期 | 2004-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90557]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘祥林,焦春美,于英仪,等. 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法. CN1779910A. 2006-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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