Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 范广涵 |
| 发表日期 | 2003-07-23 |
| 专利号 | CN1431722A |
| 著作权人 | 华南师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体器件，准确地是一种III族氮化物的半导体蓝色发光器件，其有源区两侧的包层中至少包括一层M*(Alx1Inx2Gax3N－Aly1Iny2Gay3N)应变层超晶格结构，该结构能消除GaN与衬底晶格失配引起的缺陷，比通常的AlGaN包层有改善晶体完整性等优点，能更有效和更均匀的将载流子限制在有源区，从而提高复合发光效率和均匀性。 |
| 公开日期 | 2003-07-23 |
| 申请日期 | 2003-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90559]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范广涵. Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件. CN1431722A. 2003-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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