半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底
文献类型：专利
| 作者 | 小林俊雅; 东条刚 |
| 发表日期 | 1999-10-13 |
| 专利号 | CN1231533A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底 |
| 英文摘要 | 半导体器件及其制造方法和所用的衬底。可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2,在台面部分12的相对两侧的位置上,将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11—20)取向表面延伸,并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理,以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。 |
| 公开日期 | 1999-10-13 |
| 申请日期 | 1999-03-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90565]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林俊雅,东条刚. 半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底. CN1231533A. 1999-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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