改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 王娜; 李马惠; 潘彦廷; 王昱玺; 陈怡婷; 党晓亮; 燕聪慧 |
| 发表日期 | 2017-09-29 |
| 专利号 | CN107221838A |
| 著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法，通过在包层覆盖与波导刻蚀之间，增加干法加湿法的刻蚀工艺，提供一种新型布拉格光栅，来提升激光器芯片的模态稳定性，这种方式制造工艺简单稳定，可以避免后期的芯片切割工艺的不确定性，同时大幅提高芯片的良率。 |
| 公开日期 | 2017-09-29 |
| 申请日期 | 2017-06-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90569]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王娜,李马惠,潘彦廷,等. 改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法. CN107221838A. 2017-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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