电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李艳平; 冉广照; 徐万劲; 陈娓兮; 秦国刚 |
| 发表日期 | 2013-03-27 |
| 专利号 | CN103001121A |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法。本发明的混合光源包括一TM模半导体光增益结构，一基于SOI的SPP波导结构；其中，所述SPP波导结构包括一基于SOI制备的硅波导，以及依次位于所述硅波导上的金属层、介质层；所述SPP硅波导结构的两侧分别依次为空隙区、键合层；以所述TM模半导体光增益结构中最接近光增益区的面作为键合面，所述TM模半导体光增益结构的光增益区与所述SPP波导结构对准后通过所述键合层键合。本发明的混合光源可以应用于大规模集成光互连芯片。与已有的光泵表面等离激元混合光源相比，具有能用电驱动和与硅基芯片相集成的优点。 |
| 公开日期 | 2013-03-27 |
| 申请日期 | 2012-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90577]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李艳平,冉广照,徐万劲,等. 电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法. CN103001121A. 2013-03-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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