氮化物半导体光学元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 福田和久 |
| 发表日期 | 2010-12-29 |
| 专利号 | CN101931161A |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体光学元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种氮化物半导体光学元件及其制造方法。所述氮化物半导体光学元件具有：衬底；有源层(3周期多量子阱(MQW)有源层)；至少设置所述有源层的发光端面上的第一保护膜；和设置在所述第一保护膜上的第二保护膜；其中所述第一保护膜设置在构成所述发光端面的半导体与所述第二保护膜之间，且所述第一保护膜的与所述半导体直接接触的部分主要由具有金红石结构的TiO2膜构成。 |
| 公开日期 | 2010-12-29 |
| 申请日期 | 2010-04-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90599]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福田和久. 氮化物半导体光学元件及其制造方法. CN101931161A. 2010-12-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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