半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 尺田幸男 |
| 发表日期 | 2010-12-01 |
| 专利号 | CN101904064A |
| 著作权人 | 罗姆股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 提供一种氮化物半导体发光元件，其即使具有脊条状结构，也能够防止元件的驱动电压的上升及内部发热而导致的元件寿命降低，从而使激光特性均匀。在GaN基板(1)上依次迭层有n型GaN层(2)、n型AlGaN层(3)、活化层(4)、p型AlGaN层(5)、p型GaN层(6)。在p型GaN层(6)上形成有绝缘膜(7)与透明电极(8)。透明电极(8)的局部形成为与p型GaN层(6)连接。用于形成波导路的脊条状部D由透明膜(9)构成。透明电极(8)与p型GaN层(6)接触的区域成为条状电流注入区域。 |
| 公开日期 | 2010-12-01 |
| 申请日期 | 2008-12-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 罗姆股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尺田幸男. 半导体发光元件. CN101904064A. 2010-12-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。