一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
文献类型：专利
| 作者 | 李艳平; 陶利; 陈娓兮; 冉广照 |
| 发表日期 | 2014-01-15 |
| 专利号 | CN103515842A |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用纳米压印技术在SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列图形；2）利用刻蚀技术在SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列；3）选取或制备一多量子阱光增益结构阵列；4）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的每个光增益区与SOI片上的硅波导阵列中的每个硅波导光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单，成本低，周期短，能大面积、大规模生产，并且能够在较大的范围内调节输出波长等优点。 |
| 公开日期 | 2014-01-15 |
| 申请日期 | 2013-10-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90613]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李艳平,陶利,陈娓兮,等. 一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法. CN103515842A. 2014-01-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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