半导体发光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藏本恭介 |
| 发表日期 | 2010-08-11 |
| 专利号 | CN101800399A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。作为半导体层叠结构(16)，在GaN衬底(14)上依次形成n型AlGaN覆盖层(18)、有源层(24)、p型AlGaN覆盖层(34)、及p型GaN接触层(36)。在半导体层叠结构(16)的顶面形成条形波导区域(38)。在半导体层叠结构(16)的顶面与波导区域(38)相离地形成凹部(40)。n型电极(50)与GaN衬底(14)电连接。p型电极(46)与p型GaN接触层(36)电连接。在p型电极(46)上形成有焊盘电极(48)。隔着SiO2膜(44)在凹部(40)内部形成凹部内电极(52)。 |
| 公开日期 | 2010-08-11 |
| 申请日期 | 2009-10-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90614]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藏本恭介. 半导体发光元件及其制造方法. CN101800399A. 2010-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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