平面波导型石墨烯被动锁模激光器
文献类型:专利
作者 | 陆荣国; 叶胜威; 寿晓峰; 田朝辉; 张尚剑; 刘爽; 刘永 |
发表日期 | 2015-04-22 |
专利号 | CN104538839A |
著作权人 | 电子科技大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 平面波导型石墨烯被动锁模激光器 |
英文摘要 | 本发明公开了一种平面波导型石墨烯被动锁模激光器,涉及光电技术领域,其中,所述缓冲层、下光包层、下势垒层、有源层、上势垒层、上光包层和欧姆接触层依次制作在[100]面偏向[110]方向4~9°的N型掺杂硅衬底层上构成半导体光放大器结构;第一光栅结构和第二光栅结构具有相同中心波长,分别制作在有源层的两侧,构成光栅谐振腔;石墨烯层贴附于第一光栅结构(6)的输入端面,作为饱和吸收体。本发明以硅基为作为衬底层的,解决了现有技术中半导体超短脉冲激光器主要是以GaAS或InP为衬底不与CMOS工艺兼容的技术问题,且便于和硅基集成;并利用石墨烯的饱和吸收特性,实现了超短脉冲激光。 |
公开日期 | 2015-04-22 |
申请日期 | 2014-12-26 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90622] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 电子科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆荣国,叶胜威,寿晓峰,等. 平面波导型石墨烯被动锁模激光器. CN104538839A. 2015-04-22. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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