一种低发散角的面发射量子级联激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 张锦川; 姚丹阳; 闫方亮; 刘峰奇; 王利军; 刘俊岐; 王占国 |
| 发表日期 | 2014-01-22 |
| 专利号 | CN103532013A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种低发散角的面发射量子级联激光器结构 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种低发散角的面发射量子级联激光器结构，其包括：衬底；下波导层，该下波导层生长在该衬底正面；下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上；有源区，该有源区生长在下光限制层上；上光限制层，该上光限制层生长在该有源区上；光栅层，该光栅层制作于上光限制层的上，并且该光栅层具有二级分布反馈结构；上波导层，该上波导层生长在该光栅层上；亚波长金属光栅层，该亚波长金属光栅层制作于该衬底。本发明公开的上述方案用亚波长金属光栅结构对面发射量子级联激光器进行光束整形，既减小了波导方向的发散角又没有影响器件的倒装焊接。在中红外波段很容易激发等离子体波，且等离子体波的传播距离较远、吸收损耗较小。 |
| 公开日期 | 2014-01-22 |
| 申请日期 | 2013-10-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90626]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张锦川,姚丹阳,闫方亮,等. 一种低发散角的面发射量子级联激光器结构. CN103532013A. 2014-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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