氮化物系半导体发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 京野孝史; 盐谷阳平; 善积祐介; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 足立真宽; 德山慎司 |
| 发表日期 | 2011-08-10 |
| 专利号 | CN102150288A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物系半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 本发明的氮化物系半导体发光器件(LE1、LD1)的特征在于，具备：氮化镓衬底(11)，其具有主面(11a)，主面(11a)与基准平面(Sc)所成的角度α在40度以上且50度以下以及大于90度且在130度以下的范围内，其中，上述基准平面(Sc)与向c轴方向延伸的基准轴(Cx)正交；n型氮化镓系半导体层(13)；第2氮化镓系半导体区域(17)；及发光层(15)，其包括阱层(21)和势垒层(23)，其中，上述阱层(21)包括多个InGaN，上述势垒层(23)包括多个GaN系半导体；并且，多个阱层(21)的压电极化的方向为从n型氮化镓系半导体层(13)朝向第2氮化镓系半导体区域(17)的方向。 |
| 公开日期 | 2011-08-10 |
| 申请日期 | 2010-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90633]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 京野孝史,盐谷阳平,善积祐介,等. 氮化物系半导体发光器件. CN102150288A. 2011-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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