直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法
文献类型：专利
| 作者 | 李爱珍; 郑燕兰; 李华 ; 胡雨生; 张永刚; 茹国平; 陈正秀
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| 发表日期 | 2006-02-22 |
| 专利号 | CN1737998A |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III－V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元系III－V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材料。 |
| 公开日期 | 2006-02-22 |
| 申请日期 | 2005-08-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90645]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,郑燕兰,李华,等. 直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法. CN1737998A. 2006-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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