波长为852nm的分布反馈激光器的结构和制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 付生辉; 钟源; 陈良惠 |
| 发表日期 | 2007-11-28 |
| 专利号 | CN101079532A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 波长为852nm的分布反馈激光器的结构和制作方法 |
| 英文摘要 | 一种波长为852nm的分布反馈激光器的结构，包括：在N型GaAs衬底上依次制作的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下盖层、N型GaAs缓冲层、非掺AlGaAs下波导层、N型AlGaAs下盖层、非掺AlGaAs下垒层、非掺AlGaAs下波导层、非掺AlGaInAs有源层、非掺AlGaAs下垒层、非掺AlGaAs上垒层、非掺AlGaInAs有源层、非掺AlGaAs上波导层、非掺AlGaAs上垒层、非掺GaInP光栅层、非掺AlGaAs上波导层、非掺AlGaAs上盖层、非掺GaInP光栅层、P型AlGaAs上盖层、非掺AlGaAs上盖层、P型GaAs帽层、P型AlGaAs上盖层、SiO2层、P型GaAs帽层、P型电极以及N型电极。 |
| 公开日期 | 2007-11-28 |
| 申请日期 | 2006-05-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90651]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付生辉,钟源,陈良惠. 波长为852nm的分布反馈激光器的结构和制作方法. CN101079532A. 2007-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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