一种半导体光放大器
文献类型：专利
| 作者 | 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 张晶; 郝永芹; 王菲; 马晓辉; 王晓华 |
| 发表日期 | 2017-05-31 |
| 专利号 | CN106785915A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体光放大器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体光放大器，特别涉及一种具有抛物线形曲面波导结构的GaAs基半导体光放大器。该半导体光放大器材料为GaAs基材料体系，在N型GaAs衬底上依次外延N型AlxGa1‑xAs缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、N型N‑AlxGa1‑xAs下波导层、InxGa1‑xAs量子阱有源区、P型AlxGa1‑xAs上波导层、P型AlGaAsSb上限制层。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层为具有抛物线形曲面结构，该结构可使抛物线形曲面尖端具有更高的光子密度，提高半导体光放大器的模式体积，使其具有更高的增益，同时该抛物线形曲面波导结构有利于压缩半导体光放大器的发散角，实现高功率输出，提高光纤耦合效率。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层的抛物线形曲面结构通过电子束曝光或紫外光刻，然后采用干法与湿法相结合的刻蚀工艺制备得到。 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 申请日期 | 2016-12-05 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90655]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏志鹏,唐吉龙,贾慧民,等. 一种半导体光放大器. CN106785915A. 2017-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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