半導体ゲート型光スイッチおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲浜▼本 貴一; 北村 昌太郎; 小松 啓郎 |
| 发表日期 | 1995-01-31 |
| 专利号 | JP1995028005A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体ゲート型光スイッチおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体ゲート型光スイッチのゲート部と合波·分岐導波路部のガイド層を連続して設け、光をゲートで効率良く増幅し、注入電流の低減化を図る。 【構成】 ゲート部7では、n-InP基板1上に3μm組成InGaAsPアクティブガイド層3、p-InPクラッド層4、p-InGaAsキャップ層5、Au/Tiメタル層が積層され、合波·分岐導波路部8では、n-InP基板1上に15μm組成InGaAsPパッシブガイド層2、p-InPクラッド層4、p-InGaAsキャップ層5、Au/Tiメタル層6が積層されている。波長組成15μmのパッシブガイド層からなる光アンプをゲートとするゲート領域と、波長組成15μmのパッシブガイド層からなる分岐·合波導波路領域が同一基板上に集積されており、アクティブガイド層とパッシブガイド層は導波方向に連続して形成されている。 |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 申请日期 | 1993-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90656]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲浜▼本 貴一,北村 昌太郎,小松 啓郎. 半導体ゲート型光スイッチおよびその製造方法. JP1995028005A. 1995-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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