一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器
文献类型：专利
| 作者 | 朱忠赟珅; 宋禹忻; 李耀耀; 韩奕; 张振普; 张立瑶; 王庶民 |
| 发表日期 | 2017-08-11 |
| 专利号 | CN107039884A |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。 |
| 公开日期 | 2017-08-11 |
| 申请日期 | 2017-05-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱忠赟珅,宋禹忻,李耀耀,等. 一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器. CN107039884A. 2017-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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