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光半导体集成元件以及其制造方法

文献类型:专利

作者高林和雅; 山本刚之
发表日期2016-01-06
专利号CN105229523A
著作权人富士通株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名光半导体集成元件以及其制造方法
英文摘要本发明涉及光半导体集成元件以及其制造方法,消除元件制造困难性,并且降低光的传输损耗。具备由至少层叠第1导电型下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层而成的层叠构造构成的条纹状的波导,并由第2导电型上部包覆层、和在与波导的主要的延伸方向垂直的方向上偏移地具有折曲部的i型上部包覆层来形成上部包覆层。
公开日期2016-01-06
申请日期2013-05-23
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90668]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士通株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
高林和雅,山本刚之. 光半导体集成元件以及其制造方法. CN105229523A. 2016-01-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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