光半导体集成元件以及其制造方法
文献类型:专利
作者 | 高林和雅; 山本刚之 |
发表日期 | 2016-01-06 |
专利号 | CN105229523A |
著作权人 | 富士通株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半导体集成元件以及其制造方法 |
英文摘要 | 本发明涉及光半导体集成元件以及其制造方法,消除元件制造困难性,并且降低光的传输损耗。具备由至少层叠第1导电型下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层而成的层叠构造构成的条纹状的波导,并由第2导电型上部包覆层、和在与波导的主要的延伸方向垂直的方向上偏移地具有折曲部的i型上部包覆层来形成上部包覆层。 |
公开日期 | 2016-01-06 |
申请日期 | 2013-05-23 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90668] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 富士通株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高林和雅,山本刚之. 光半导体集成元件以及其制造方法. CN105229523A. 2016-01-06. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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