光电子半导体芯片
文献类型：专利
| 作者 | 亚德里恩·阿夫拉梅斯库; 福尔克尔·黑勒; 卢茨·赫佩尔; 马蒂亚斯·彼得; 马蒂亚斯·扎巴蒂尔; 乌韦·施特劳斯 |
| 发表日期 | 2012-09-12 |
| 专利号 | CN102664223A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光电子半导体芯片 |
| 英文摘要 | 本申请涉及一种光电子半导体芯片(20)，在半导体芯片(20)的生长方向(c)上具有以下顺序的区域：用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)；有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体；以及用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)，其中有源区(2)包括为产生辐射而设置的量子阱结构(8)；并且朝着生长方向(c)看，在为产生辐射而设置的量子阱结构(8)之前设置有至少一个并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)。此外，本申请还涉及一种具有这种半导体芯片(20)的器件和一种用于制造这种半导体芯片(20)的方法。 |
| 公开日期 | 2012-09-12 |
| 申请日期 | 2006-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90675]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 亚德里恩·阿夫拉梅斯库,福尔克尔·黑勒,卢茨·赫佩尔,等. 光电子半导体芯片. CN102664223A. 2012-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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