一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法
文献类型：专利
| 作者 | 吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生 |
| 发表日期 | 2007-03-21 |
| 专利号 | CN1933263A |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种提高III－V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强III－V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ar离子或Ar离子和Cl2气的混合气体。干法刻蚀后，刻蚀表面至量子阱层的距离大于刻蚀损伤深度时，量子阱干法刻蚀部位发光强度得到明显增强。本发明提供的方法适用的III－V族化合物材料是由气态源分子束外延(GSMBE)或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法生长所得，利用本发明提供的方法可使应变多量子阱发光强度提高3－5倍。 |
| 公开日期 | 2007-03-21 |
| 申请日期 | 2006-10-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90683]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,曹萌,劳燕锋,等. 一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法. CN1933263A. 2007-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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