一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构
文献类型：专利
| 作者 | 李占国; 尤明慧; 乔忠良; 王勇; 高欣; 刘国军; 曲轶; 马晓辉 |
| 发表日期 | 2015-03-25 |
| 专利号 | CN104466679A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构，其基本思想是采用InAsSb量子点，在理论上InAsSb量子点可以满足量子点的发射波长进入3μm和5μm通信波段。在预先刻蚀的“类似倒三棱锥体”图形衬底上制备高质量、高反射率的超晶格布拉格反射镜（DBR）层，这在一定程度上增加了量子点和起始生长界面的物理距离，同时，大大地增加了量子点发光的捕获效率，使发光效率大大提高。可实现高质量超低密度、位置可控，加之高反射率DBR层对量子点发光的有效收集，并以此为基础为制作通信波段用的量子点单光子发射器件打下基础。 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 申请日期 | 2014-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90686]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李占国,尤明慧,乔忠良,等. 一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构. CN104466679A. 2015-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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