硅衬底上的氮化物半导体及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 尹皙胡; 李喆鲁; 李庭旭; 李成淑 |
| 发表日期 | 2005-04-20 |
| 专利号 | CN1607683A |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 硅衬底上的氮化物半导体及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供一种在硅衬底上形成的氮化物半导体及其制造方法。该方法包括：在硅衬底上形成缓冲层，以及在缓冲层上形成具有空隙的中间层。在中间层上形成平整层，和在平整层上形成氮化物半导体层。因此，可以以很低的成本大规模地制造出充分减少了晶体缺陷、位错或裂纹的产生的氮化物半导体。 |
| 公开日期 | 2005-04-20 |
| 申请日期 | 2004-10-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90687]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹皙胡,李喆鲁,李庭旭,等. 硅衬底上的氮化物半导体及其制造方法. CN1607683A. 2005-04-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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