半导体发光元件以及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 市原隆志; 吉田裕史; 山田孝夫; 若井阳平 |
| 发表日期 | 2010-07-07 |
| 专利号 | CN101772846A |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件以及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，使蓝宝石晶片形成芯片时，能够以极高的成品率正确地形成芯片。该半导体发光元件的制造方法是从具有定位面的蓝宝石基板上叠层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件的方法，其具有如下的工序：在平行所述定位面的方向(Xo)具有偏移角(θ)的蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在大致垂直所述方向(Xo)的方向(Y)上延伸，在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角(θ)的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从而形成第2切断线，沿着所述第1以及/或者第2切断线分割晶片。 |
| 公开日期 | 2010-07-07 |
| 申请日期 | 2008-07-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90689]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 市原隆志,吉田裕史,山田孝夫,等. 半导体发光元件以及其制造方法. CN101772846A. 2010-07-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。