化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法
文献类型：专利
| 作者 | 酒井士郎; 高松勇吉; 森勇次; 王宏兴; 小宫由直; 吴羽羚儿; 石滨义康; 纲岛丰 |
| 发表日期 | 2003-01-22 |
| 专利号 | CN1392595A |
| 著作权人 | 日本派欧尼股份株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法 |
| 英文摘要 | 公开了一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备，所述的设备包括装有以下设备的卧式反应管：支承衬底的基座、加热衬底的加热器、使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段以及反应气体排出段，以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段，其中在配料气体气路的上游侧加压气体气路的至少一部分的结构是这样的，以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。在这里还公开了一种使用所述设备的化学汽相淀积方法。从而甚至在大型衬底进行化学汽相淀积或多件衬底同时进行化学汽相淀积的情况下或在高温下，也可制得有良好结晶度的均匀半导体膜。 |
| 公开日期 | 2003-01-22 |
| 申请日期 | 2002-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90698]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本派欧尼股份株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 酒井士郎,高松勇吉,森勇次,等. 化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法. CN1392595A. 2003-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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