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外腔窄线宽激光器

文献类型:专利

作者刘建国; 于丽娟; 苏亚嫚; 祝宁华
发表日期2016-03-23
专利号CN105428998A
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类发明申请
其他题名外腔窄线宽激光器
英文摘要本发明公开了一种外腔窄线宽激光器,该激光器包括:半导体光放大器、平面波导光栅和衬底,其中:所述半导体光放大器和平面波导光栅键合到所述衬底上;所述半导体光放大器的一端镀有高反射膜,另一端镀有高透膜;所述平面波导光栅的两侧均镀有高透膜;所述半导体光放大器镀有高透膜一端的端面与所述平面波导光栅的一侧端面相耦合。本发明提供的外腔窄线宽激光器,具有窄线宽,高功率,低噪声及高的频率稳定性等特点,可应用于高阶调制格式及相干探测系统中,为下一代光纤通信系统提供发射源和本征源激光器。
公开日期2016-03-23
申请日期2015-12-28
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90699]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘建国,于丽娟,苏亚嫚,等. 外腔窄线宽激光器. CN105428998A. 2016-03-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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