半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 柴田馨; 秋田胜史; 藤井慧; 石塚贵司 |
| 发表日期 | 2015-12-09 |
| 专利号 | CN105144410A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。 |
| 公开日期 | 2015-12-09 |
| 申请日期 | 2014-04-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90704]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田馨,秋田胜史,藤井慧,等. 半导体器件及其制造方法. CN105144410A. 2015-12-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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