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阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法

文献类型:专利

作者马卫东; 丁丽; 李迪; 赵建宜; 朱虎; 陈昊; 王宁
发表日期2013-03-27
专利号CN103001120A
著作权人武汉光迅科技股份有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法
英文摘要本发明公开了阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法,包括如下步骤:设计制作出适于集成的阵列波导光栅芯片;在阵列波导光栅芯片上制作出定位区域;在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出对准标记;在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出电极;将半导体放大器芯片的对准标记同定位区域的对准标记对准后,将半导体放大器芯片倒装焊在阵列波导光栅芯片的定位区域上;采用本发明提供的方法可以使SOA芯片集成在AWG芯片的衬底上,提高了器件的可靠性,同时简化了集成工艺,提高了集成效率。
公开日期2013-03-27
申请日期2012-12-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90705]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
马卫东,丁丽,李迪,等. 阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法. CN103001120A. 2013-03-27.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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