制造第三族氮化物衬底的方法
文献类型：专利
| 作者 | 北冈康夫; 峰本尚; 木户口勲; 石桥明彦 |
| 发表日期 | 2004-08-04 |
| 专利号 | CN1518138A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制造第三族氮化物衬底的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。 |
| 公开日期 | 2004-08-04 |
| 申请日期 | 2004-01-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90709]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北冈康夫,峰本尚,木户口勲,等. 制造第三族氮化物衬底的方法. CN1518138A. 2004-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。