Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西井胜则; 井上薰; 松野年伸; 池田义人; 正户宏幸 |
| 发表日期 | 2009-02-04 |
| 专利号 | CN101359667A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。 |
| 公开日期 | 2009-02-04 |
| 申请日期 | 2001-03-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90710]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西井胜则,井上薰,松野年伸,等. Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法. CN101359667A. 2009-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。