制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 小池正好; 小岛彰; 平松敏夫; 手钱雄太 |
| 发表日期 | 2003-04-23 |
| 专利号 | CN1413358A |
| 著作权人 | 丰田合成株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件 |
| 英文摘要 | 利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。 |
| 公开日期 | 2003-04-23 |
| 申请日期 | 2000-12-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90718]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 丰田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池正好,小岛彰,平松敏夫,等. 制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件. CN1413358A. 2003-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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