制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 永井诚二; 山崎史郎; 佐藤峻之; 药师康英; 奥野浩司; 五所野尾浩一 |
| 发表日期 | 2009-08-05 |
| 专利号 | CN101499415A |
| 著作权人 | 丰田合成株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件。所述方法制造具有M－晶面主表面的III族氮化物基化合物半导体。所述方法采用具有主表面的蓝宝石衬底，该主表面围绕由R－晶面和与R－晶面垂直的A－晶面所形成的L蓝宝石－AM相交线相对于R－晶面成30°倾斜。蓝宝石衬底的R－晶面表面被暴露，在衬底的主表面上形成二氧化硅掩模。在暴露的R－晶面表面上形成AlN缓冲层。在AlN缓冲层上形成GaN层。在GaN生长的初始阶段，通过横向生长使GaN层完全覆盖蓝宝石衬底的上表面。生长GaN层以使所述层的a－轴垂直于蓝宝石衬底的暴露的R－晶面表面；所述层的c－轴平行于蓝宝石衬底的轴向L蓝宝石－AM；所述层的m－轴垂直于蓝宝石衬底的主表面。 |
| 公开日期 | 2009-08-05 |
| 申请日期 | 2009-02-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90722]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 丰田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井诚二,山崎史郎,佐藤峻之,等. 制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件. CN101499415A. 2009-08-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。