氮化物半导体基板及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 赖志铭; 蔡政达; 刘文岳; 郭义德 |
| 发表日期 | 2008-03-26 |
| 专利号 | CN101150053A |
| 著作权人 | 财团法人工业技术研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体基板及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体基板及其制造方法。所述方法包括：提供基板，之后于基板上形成外延层。于外延层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层裸露部分外延层。接着，进行氧化工艺以使裸露的部分外延层完全氧化成多个错位阻挡结构。移除图案化掩模层。接着，于具有错位阻挡结构的外延层上形成氮化物半导体层。 |
| 公开日期 | 2008-03-26 |
| 申请日期 | 2006-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90726]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 财团法人工业技术研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赖志铭,蔡政达,刘文岳,等. 氮化物半导体基板及其制造方法. CN101150053A. 2008-03-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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