具有吸除剂层的发光半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | U.维奇曼恩; J.S.科布; A.P.恩格哈德特; H.梅恩奇; M.F.C.谢曼恩 |
| 发表日期 | 2016-10-12 |
| 专利号 | CN106030938A |
| 著作权人 | 皇家飞利浦有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有吸除剂层的发光半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明描述了一种发光半导体器件（100），包括衬底（120）、发光层结构（155）和用于减少发光层结构（155）中的杂质的AlGaAs吸气剂层（190），发光层结构（155）包括有源层（140）和变化的铝含量的层，其中包括铝的发光层结构（155）的层的生长条件与AlGaAs吸气剂层（190）的生长条件相比是不同的。AlGaAs吸气剂层（190）实现了沉积装备或生长反应器的气相中的比如硫等那样的杂质的浓度的降低。这样的杂质的减少降低了发光层结构（155）中可能影响发光半导体器件（100）的寿命的杂质的合并的概率。生长条件从组砷分压、氧分压、沉积温度、总沉积压力和铝的沉积速率中选择。本发明进一步涉及制造这样的发光半导体器件（100）的对应方法。 |
| 公开日期 | 2016-10-12 |
| 申请日期 | 2015-02-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90730]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 皇家飞利浦有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | U.维奇曼恩,J.S.科布,A.P.恩格哈德特,等. 具有吸除剂层的发光半导体器件. CN106030938A. 2016-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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