蓝宝石基氮化物芯片的划片方法
文献类型：专利
| 作者 | 徐军; 蒋成勇; 周圣明; 杨卫桥; 周国清; 王银珍; 彭观良; 邹军; 刘士良; 张俊计 |
| 发表日期 | 2004-09-15 |
| 专利号 | CN1529347A |
| 著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法 |
| 英文摘要 | 一种蓝宝石基氮化物芯片的划片方法，包括下列步骤：根据划片的要求采用铅板制造出中间有若干狭缝的辐照挡板；将已生长GaN的蓝宝石晶体背面与辐照挡板贴紧，采用Co60进行Gamma射线辐照，辐照剂量约为107Rad，然后将挡板旋转90°，进行同等剂量的辐照，使蓝宝石衬底上形成网状辐照线；采用248nm；KrF准分子激光对辐照后的GaN/蓝宝石LED芯片沿着辐照线进行划片；采用裂片机对已划片的GaN/蓝宝石LED芯片进行裂片，然后进行芯片探针测试及芯片分类。本发明的优点是：划片边缘光滑，不影响GaN的光电性能。 |
| 公开日期 | 2004-09-15 |
| 申请日期 | 2003-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90731]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,蒋成勇,周圣明,等. 蓝宝石基氮化物芯片的划片方法. CN1529347A. 2004-09-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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